HY3312B دیتاشیت

HY3312B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY3312B
حجم فایل 55.697 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت HY3312B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY3312B
  • Power Dissipation (Pd): 278W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 125V
  • Continuous Drain Current (Id): 130A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@10V,65A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه